中性子ミラー基板の超平滑研磨技術について紹介する。
250mmを超える長尺のアモルファ無電解ニッケルメッキ基板に単結晶ダイヤモンド切削と遊離砥粒研磨を
適用して超平滑曲面を形状創成し、多層膜スーパーミラーを得る手法を確立した。
現在では0.13nm Ra程度の表面粗さと高い中性子線反射率を達成している。
洗浄後のパーティクルの確認と反射率への影響ならびに定量的評価への期待について述べる。